檢索結果：共35筆資料 檢索策略： "何清華".ccommittee (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
2
本研究論文是以化學氣相傳導法利用碘 (I2) 為傳導劑成長鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢 (Mo1-xWxS2, 0 ≤ x ≤ 0.1; 0.9 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.02) 系列層狀單晶半導體…
3
本論文主要探討利用自組反應式射頻磁控濺鍍系統 (Reactive radio-frequency magnetron sputtering: RFMS) 藉由不同條件成長高比表面積之氧化銥奈米葉片 …
4
5
本論文使用化學氣相傳輸法 (Chemical vapor transport, CVT) 以碘為傳導劑成長W(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.2和x = 0.5) 系列層狀…
6
石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
7
此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜，採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ，同時通入氬氣及氧氣，氬氣為濺鍍氣體，氧氣為反應氣體…
8
本實驗以石墨烯為導電基板，在其上成長奈米碳管束陣列，並利用此奈米碳管束陣列為模板披覆二氧化釕及二氧化銥做為電化學電容器之電極材料。奈米碳管具有高導電性、高化學穩定性及高比表面積之特性，並可經由光微影…
9
本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜，利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變，分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
10
本實驗利用氣相傳輸法在氧氣環境下以金屬鋅顆粒為蒸發源，製備出鋅-氧化鋅核殼結構奈米線。此核殼結構其內層鋅直徑約為53 nm，外層包覆一層厚度約7.5 nm的氧化鋅，並沿[112 ‾0]方向成長。經過…